Keysight IC-CAP 2020是一款器件建模軟件，可以幫助用戶在軟件設(shè)計(jì)多種電子設(shè)備模型，方便為廠家開發(fā)新的電子設(shè)備，現(xiàn)在很多硬件都是通過建模的方式預(yù)先在電腦上分析各種加工方案，計(jì)算設(shè)備數(shù)據(jù)，設(shè)計(jì)編程命令，設(shè)計(jì)完畢以后就可以開始加工設(shè)備，Keysight IC-CAP 2020可以幫助用戶快速分析設(shè)備參數(shù)，提供可視化與編程功能、儀器驅(qū)動(dòng)程序、仿真器和優(yōu)化算法，幫助用戶在軟件上仿真設(shè)備，設(shè)計(jì)模型，分析電磁數(shù)據(jù)，設(shè)計(jì)電路板，仿真電子儀器，非常適合電子設(shè)備開發(fā)和電磁仿真人員使用，如果你需要建立各種器件模型就可以下載這款軟件！

軟件功能

　　1、IC-CAP建模軟件提供模塊化產(chǎn)品，以便您可以準(zhǔn)確地選擇特定建模所需的模塊腳本。IC-CAP平臺(tái)的中心是IC-CAP軟件環(huán)境支持圖形分析、編程通過參數(shù)提取語言（PEL）和Python，以及自定義模型和用戶界面發(fā)展。需要分析模塊在大多數(shù)模擬建模應(yīng)用中，優(yōu)化和外部接口模擬器。IC-CAP支持測(cè)量?jī)x器，包括直流、LCRZ和射頻。

　　2、最先進(jìn)的自動(dòng)化

　　測(cè)量溶液有了IC-CAP WaferPro，IC-CAP提供了最先進(jìn)的設(shè)備建模解決方案自動(dòng)化測(cè)量。專門的測(cè)試計(jì)劃IC-CAP平臺(tái)內(nèi)的環(huán)境允許

　　測(cè)量和后處理的測(cè)試工程師使用各種按鍵和第三方的數(shù)據(jù)儀器。

　　3、精確鍵控專用

　　和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模型IC-CAP包含精確的建筑模型以及維護(hù)最新的模型庫(kù)。在單個(gè)環(huán)境中，您可以使用IC-CAP自動(dòng)化測(cè)量，模擬設(shè)備性能，提取數(shù)據(jù)，優(yōu)化模型參數(shù)，進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，并生成最壞情況的模型。集成電路蓋為工業(yè)提供提取例程標(biāo)準(zhǔn)，以及Keysight專有二極管、BJT、MOSFET、MESFET的型號(hào)，血紅素，噪音，熱模型，和其他。提取模塊提供完整的直流至射頻參數(shù)提取功能。此外，IC-CAP支架模型與提取由第三方開發(fā)的程序，以及許多其他的模擬軟件包裝，以適應(yīng)廣泛的客戶要求。IC-CAP也支持Verilog-A模型的使用。

　　4、射頻和微波建模能力

　　射頻效應(yīng)的精確建模需要可靠的測(cè)量數(shù)據(jù)。建立在已證實(shí)的基礎(chǔ)上射頻和微波測(cè)試的強(qiáng)度測(cè)量，EDA的按鍵EES提供各種射頻儀器的配置例如按鍵PNA、PNA-X和ENA系列。IC-CAP射頻提取模塊專有和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模型包括射頻相關(guān)參數(shù)提取，確保您的模型適用于高頻電路仿真。

　　5、最靈活的軟件環(huán)境

　　IC-CAP以開放靈活的方式運(yùn)行軟件架構(gòu)。盡管我們提供許多行業(yè)的交鑰匙建模解決方案標(biāo)準(zhǔn)和專有型號(hào)，大多數(shù)測(cè)量和提取算法可以由用戶修改。使用IC-CAP參數(shù)提取語言（PEL）或Python編程環(huán)境，您可以定義并添加自己的模型或提取直接進(jìn)入IC-CAP的方法。什么時(shí)候？必要時(shí)，IC-CAP打開測(cè)量接口允許您編寫自己的控制儀器的測(cè)量驅(qū)動(dòng)器。也可以設(shè)計(jì)自定義建模通過實(shí)現(xiàn)帶有IC-CAP圖形用戶界面的自定義用戶界面對(duì)話框工作室。

　　6、用IC-CAP進(jìn)行測(cè)量

　　成功的設(shè)備建模需要精確的測(cè)量數(shù)據(jù)和徹底的對(duì)復(fù)雜集成的理解測(cè)量硬件之間以及建模軟件。IC-CAP軟件是一個(gè)強(qiáng)大的建模工具

　　能自動(dòng)化工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)儀器以及系統(tǒng)。其測(cè)量接口為各種單一儀器和模型直流、交流和射頻系統(tǒng)配置測(cè)量。收集測(cè)量數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在IC-CAP中，可直接使用用于參數(shù)提取和優(yōu)化緊湊型設(shè)備。

　　7、全面的內(nèi)置儀器庫(kù)

　　IC-CAP的WaferPro提供推動(dòng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的能力測(cè)量設(shè)備（從工作臺(tái)頂部?jī)x器到參數(shù)測(cè)試儀），以及作為第三方探測(cè)器，開關(guān)矩陣和熱卡盤執(zhí)行效率高，自動(dòng)化晶圓溫度測(cè)量。IC-CAP WaferPro集成到IC-CAP平臺(tái)及其優(yōu)勢(shì)強(qiáng)大的測(cè)量和編程啟用自定義庫(kù)的環(huán)境有效的測(cè)量程序（例如自適應(yīng)測(cè)量算法）大大減少了整體測(cè)量時(shí)間。因?yàn)闇y(cè)量程序是在IC-CAP環(huán)境中，簡(jiǎn)單或復(fù)雜的后處理（如計(jì)算現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量或功績(jī)數(shù)字去嵌入和直接提取），可以在保存數(shù)據(jù)之前應(yīng)用于測(cè)量數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)保存在文件或SQL數(shù)據(jù)庫(kù)中格式。掃描數(shù)據(jù)通常保存為ICCAP MDM文件格式，而點(diǎn)測(cè)量保存到Excel.csv文件。實(shí)現(xiàn)高效的數(shù)據(jù)查詢和導(dǎo)入體積測(cè)量數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)可保存進(jìn)入SQL數(shù)據(jù)庫(kù)文件。IC-CAP提供用于查詢和導(dǎo)入數(shù)據(jù)的專用API進(jìn)入IC-CAP。見第11頁表2探針、開關(guān)矩陣和熱卡盤由WaferPro支持

　　8、高兼容性

　　德科技的PathWave軟件平臺(tái)可在Windows和Linux上運(yùn)行，可在需要時(shí)為客戶提供對(duì)所需設(shè)計(jì)和測(cè)試工具的靈活，即時(shí)的訪問。設(shè)計(jì)和測(cè)試工具以及先進(jìn)的數(shù)據(jù)管理的互操作性大大加快了產(chǎn)品開發(fā)周期，從而消除了在過程的每個(gè)離散階段重新創(chuàng)建單獨(dú)的測(cè)量和測(cè)試計(jì)劃的需要。

　　9、操作簡(jiǎn)單

　　進(jìn)一步提高靈活性，使工程師能夠輕松導(dǎo)入和仿真表格數(shù)據(jù)（例如脈沖 I-V 和 S參數(shù)）。.很多時(shí)候測(cè)量數(shù)據(jù)是由其他組織以表格（.csv）格式提供的。新增的 LSYNC 輸入功能能夠?qū)⒈砀駭?shù)據(jù)直接讀入 IC-CAP LIST/LSYNC 輸入和輸出界面，然后使用 ADS 和建模程序輕松仿真相應(yīng)的設(shè)置。為了直接支持 GaN 和 GaAs 建模等 III-V FET 建模，以及作為上述新 LSYNC 功能的直接示例，此版本提供了一個(gè)基于 Python 的新界面，用于讀入 Maury 的 AMCAD 脈沖系統(tǒng)（AMCAD Pulsed System）測(cè)量數(shù)據(jù)。現(xiàn)在，您只需點(diǎn)擊幾次，便可輕松加載 Maury 的 DC IV（.mes）和 S 參數(shù)（.mps）文件，從而仿真和顯示當(dāng)曲線具有不同數(shù)量的點(diǎn)甚至不同的 Vd 點(diǎn)時(shí)的典型 DC IV 跡線（例如 IdVds 與 Vg）

　　ADS 平臺(tái)和數(shù)據(jù)可視化顯示

　　10、多項(xiàng)工作區(qū)管理功能。

　　我們實(shí)施了進(jìn)一步優(yōu)化，例如添加解釋功能，使用戶能夠清晰了解工作區(qū)內(nèi)各對(duì)象之間的獨(dú)立性，甚至能夠打開設(shè)計(jì)并突出顯示相關(guān)性的具體位置。我們還添加了追蹤原理圖、數(shù)據(jù)集和數(shù)據(jù)顯示（Data Displays）之間聯(lián)系的功能。

　　11、數(shù)據(jù)顯示

　　容量：存儲(chǔ)器映射有利于更快地讀取大型數(shù)據(jù)集，以及更快地縮放和平移圖形

　　易用性：Expression 管理器使用戶可以在單個(gè)電子表格中查看、選擇和修改所有 DDS 公式。查找、替換、復(fù)制和粘貼功能使用戶可以更輕松地構(gòu)建或修改數(shù)據(jù)顯示模板，公式的網(wǎng)表（文本）導(dǎo)出選項(xiàng)可將 DDS 公式輕松轉(zhuǎn)換為基于原理圖的測(cè)量公式，使它們可以直接保存在數(shù)據(jù)集中

　　查找問題：“右鍵單擊和查找公式菜單”使用戶能夠識(shí)別當(dāng)前公式所引用的其他公式，因此可以輕松識(shí)別和改正問題

新版特色

　　PathWave 器件建模（IC-CAP）軟件 2020 更新 2.0 的新特性

　　增強(qiáng)型 LSYNC 現(xiàn)在可為 DC、CV 和 S 參數(shù)仿真提供 V/I 輸入溫度——使用 PathWave 先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)（ADS）和 ELDO 導(dǎo)入和仿真表格數(shù)據(jù)

　　Keysight I/O 程序庫(kù)套件 2020 現(xiàn)在支持 LINUX

　　CMOS 建模套件升級(jí)——模型版本更新與補(bǔ)丁修復(fù)

　　脈沖和直流 IV 及 S 參數(shù)的新導(dǎo)入功能——新的 Python API 模塊允許導(dǎo)入脈沖 IV 和 S 參數(shù)的 Maury/AMCAD 輸出數(shù)據(jù)格式（.mes 和 .mps）

　　新增對(duì) Cadence Spectre 模型庫(kù)文件的支持——加載和瀏覽 Spectre 模型庫(kù)文件，選擇一個(gè)模型卡并將其導(dǎo)入 IC-CAP 的電路頁面（實(shí)驗(yàn)功能）

　　仿真 ADS 中直流工作點(diǎn)數(shù)據(jù)的新功能——添加新輸出類型“O”，從 ADS 仿真器讀取直流工作點(diǎn)參數(shù)（實(shí)驗(yàn)功能）

　　缺陷修復(fù)和性能提升——包括最新修復(fù)以及此前在 IC-CAP 2020 更新 1.0 和 1.1 中提供的修復(fù)

　　PathWave 器件建模（IC-CAP）軟件 2020 更新 2.0 現(xiàn)已發(fā)布！

　　描述

　　PathWave 器件建模（IC-CAP）軟件 2020 更新 2.0 進(jìn)一步提高靈活性，使工程師能夠輕松導(dǎo)入和仿真表格數(shù)據(jù)（例如脈沖 I-V 和 S參數(shù)）。.很多時(shí)候測(cè)量數(shù)據(jù)是由其他組織以表格（.csv）格式提供的。新增的 LSYNC 輸入功能能夠?qū)⒈砀駭?shù)據(jù)直接讀入 IC-CAP LIST/LSYNC 輸入和輸出界面，然后使用 ADS 和建模程序輕松仿真相應(yīng)的設(shè)置。

　　為了直接支持 GaN 和 GaAs 建模等 III-V FET 建模，以及作為上述新 LSYNC 功能的直接示例，此版本提供了一個(gè)基于 Python 的新界面，用于讀入 Maury 的 AMCAD 脈沖系統(tǒng)（AMCAD Pulsed System）測(cè)量數(shù)據(jù)。現(xiàn)在，您只需點(diǎn)擊幾次，便可輕松加載 Maury 的 DC IV（.mes）和 S 參數(shù)（.mps）文件，從而仿真和顯示當(dāng)曲線具有不同數(shù)量的點(diǎn)甚至不同的 Vd 點(diǎn)時(shí)的典型 DC IV 跡線（例如 IdVds 與 Vg）。

　　PathWave 器件建模（IC-CAP）軟件 2020 更新 1.0 中的新特性

　　新 LSYNC 和脈沖 IV 導(dǎo)入

　　圖 1. 顯示了使用新 LSYNC 時(shí)，“Setup”（設(shè)置）菜單中的“Measure /Simulate”（測(cè)量/仿真）選項(xiàng)卡頁面。這個(gè)輸入是通過導(dǎo)入一個(gè) Maury DC IV 脈沖文件（.mes）創(chuàng)建的。注意這個(gè)新類型 LYNC 輸入“vg_pulse”是如何與它的主掃描 vd_pulse 保持同步的？“Setup”看上去很簡(jiǎn)單，但表中所顯示的 I-V 負(fù)載很復(fù)雜，圖 2 使用“Id-Vd 與 Vg”來顯示這個(gè) I-V 負(fù)載。注意為何這些曲線有不同的大小。游標(biāo)和圖例在二階掃描 vg_pulse 上提供了預(yù)期信息。

　　圖 1. 使用新 LSYNC 時(shí)，“Setup”菜單中的“Measure /Simulate”選項(xiàng)卡頁面示例。

　　圖 2. 相應(yīng)的非矩形數(shù)據(jù)顯示。

　　CMOS 建模套件升級(jí)

　　下列 CMOS 套件已更新：

　　BSIMSOI 模型更新至版本 4.6.0 和 4.6.1

　　HiSIM_HV 模型更新至版本 2.40

　　HiSIM2 模型更新至版本 3.0.0

　　PSP 模型更新至版本 103.5 和 103.6

　　實(shí)驗(yàn)功能

　　現(xiàn)在可以從 Cadence spectre（.scs）模型庫(kù)文件導(dǎo)入模型卡。用戶可以加載文件，瀏覽文件結(jié)構(gòu)，并選擇要加載到 IC-CAP 電路頁面的模型卡。在加載模型卡之前，用戶可以通過對(duì)話框定義要添加的實(shí)例行。圖 3 便是一個(gè)新“Library Parser”對(duì)話框的外觀示例。在建立 IC-CAP 模型后，經(jīng)過修改的模型卡可以保存到新版本的模型庫(kù)中。這一功能將提高用戶的操作效率，并避免容易出錯(cuò)的手動(dòng)編輯。

　　圖 3. 使用新的模型庫(kù)導(dǎo)入器（Library Importer）瀏覽一個(gè) spectre 模型庫(kù) .scs 文件并選擇將要導(dǎo)入的模型卡。

安裝方法

　　1、下載軟件以后直接點(diǎn)擊iccap_2020_update2.0_win_x64.exe啟動(dòng)安裝，等待軟件加載安裝數(shù)據(jù)

　　2、提示軟件的安裝界面，點(diǎn)擊next

　　3、提示軟件的安裝協(xié)議內(nèi)容，點(diǎn)擊next

　　4、設(shè)置軟件的安裝地址C:\Keysight\ICCAP_2020_Update2

　　5、您也可以自己修改地址，小編將其安裝到E盤

　　6、指定要用作主目錄的目錄

　　7、設(shè)置軟件的開始菜單名字IC-CAP 2020 Update 2.0，勾選在桌面設(shè)置快捷方式

　　8、這里是軟件安裝信息查看，點(diǎn)擊install就可以開始安裝

　　9、如圖所示，軟件已經(jīng)開始安裝，等待安裝結(jié)束吧

　　10、已經(jīng)安裝結(jié)束，點(diǎn)擊done完成

　　11、彈出激活界面，點(diǎn)擊退出關(guān)閉當(dāng)前的界面

破解方法

　　1、打開下載的破解文件夾，將EEsof_License_Tools文件夾復(fù)制到許可證所在的文件夾，默認(rèn)情況下為C：\ Program Files \ Keysight \ EEsof_License_Tools，點(diǎn)擊替換該文件夾，注意不是復(fù)制到安裝地址

　　2、打開復(fù)制完畢的文件夾，找到bin \ win32_64 \ server_install.bat，選擇管理員身份運(yùn)行

　　3、提示正在啟動(dòng)服務(wù)，等待服務(wù)內(nèi)容啟動(dòng)完畢，點(diǎn)擊任意鍵退出

　　4、運(yùn)行“ Keysight_Licensing.reg”并確認(rèn)將信息添加到Windows注冊(cè)表中

　　5、將破解文件夾里面的ICCAP_2020_Update2復(fù)制到軟件安裝地址，替換主程序的文件夾，安裝地址默認(rèn)是C：\ Program Files \ Keysight \ICCAP_2020_Update2，小編的軟件安裝在E盤所以復(fù)制到這里替換

　　6、重啟電腦，打開主程序，等待軟件運(yùn)行

　　7、選擇我想指定一臺(tái)執(zhí)照伺服機(jī)，然后點(diǎn)擊下一步

　　8、輸入23111@localhost點(diǎn)擊下一步

　　9、提示此產(chǎn)品的使用執(zhí)照安裝程序已完成，點(diǎn)擊完成

軟件優(yōu)勢(shì)

　　IC-CAP 器件建模套件提供器件和電路建模所需的基本工具，可以為以下應(yīng)用提供必要的工具：

　　控制用于器件建模的標(biāo)準(zhǔn)直流、交流和 LCR 儀器，

　　創(chuàng)建并自動(dòng)運(yùn)行定制測(cè)量流程和提取例程

　　結(jié)合 ADS 和 Spice3 仿真器或直接鏈接的常用仿真工具運(yùn)行仿真， 并進(jìn)行優(yōu)化。

　　套件可添加用于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模型的整套模型提取應(yīng)用軟件以構(gòu)建完整的解決方案。

　　1、IC?CAP 軟件環(huán)境

　　型號(hào)：85199A：這個(gè) IC-CAP 基礎(chǔ)環(huán)境提供數(shù)據(jù)管理、可視化和編程功能，包括 MultiPlot 與 GUI studio、PEL、數(shù)學(xué)變換和宏。

　　2、IC-CAP 分析模塊

　　型號(hào)85199B：與 W8501 結(jié)合使用可提供 ADS 仿真器、強(qiáng)大的優(yōu)化引擎以及與常用仿真器的鏈接。

　　3、LCRZ 測(cè)量驅(qū)動(dòng)程序

　　型號(hào)85199C：支持 IC-CAP 控制和自動(dòng)運(yùn)行 LCRZ 測(cè)量?jī)x器

　　4、直流測(cè)量驅(qū)動(dòng)程序

　　型號(hào)85199D：IC-CAP 控制和自動(dòng)運(yùn)行直流測(cè)量?jī)x器

　　5、交流測(cè)量驅(qū)動(dòng)程序

　　型號(hào)85199E：支持 IC-CAP 控制和自動(dòng)運(yùn)行交流測(cè)量?jī)x器

　　當(dāng)運(yùn)行WaferPro Express軟件中的測(cè)試?yán)虝r(shí)，根據(jù)批次名稱，晶圓，溫度，設(shè)備類型，極性，標(biāo)線片位置和特定的測(cè)量參數(shù)組，將得到的測(cè)量數(shù)據(jù)組織到更深的子目錄層次結(jié)構(gòu)中。

　　在并排繪制來自不同標(biāo)線的設(shè)備數(shù)據(jù)時(shí)，這種層次結(jié)構(gòu)導(dǎo)航起來很麻煩。 IC-CAP 2018中引入的數(shù)據(jù)查看器會(huì)自動(dòng)導(dǎo)航目錄結(jié)構(gòu)，查找相關(guān)數(shù)據(jù)并生成圖，因此您可以考慮數(shù)據(jù)的真正含義。

　　現(xiàn)在可以輕松生成最常見的圖，包括對(duì)偏差的測(cè)量以及來自整個(gè)晶圓的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，以直方圖或晶圓圖分布的形式顯示。

　　使用IC-CAP提取模型

　　典型的建模過程包括根據(jù)設(shè)備技術(shù)及其最終電路應(yīng)用（例如，DC，高頻或兩者）選擇模型，進(jìn)行必要的測(cè)量以表征設(shè)備或一組設(shè)備，然后最終應(yīng)用提取算法 計(jì)算模型參數(shù)。 通過使用內(nèi)置或自定義模型方程式根據(jù)測(cè)量數(shù)據(jù)計(jì)算參數(shù)，或通過調(diào)整或優(yōu)化技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)最后一步。

　　IC-CAP提供了工程師開發(fā)自己的提取方法所需的平臺(tái)和工具。 是德科技和第三方供應(yīng)商均為需要在第一天就啟動(dòng)并運(yùn)行的用戶提供了交鑰匙建模提取包

　　具有增強(qiáng)的，可擴(kuò)展的RF柵極和襯底電阻模型的高精度RF提取方法。

　　–目標(biāo)建模功能。通過目標(biāo)建模，用戶可以根據(jù)目標(biāo)（現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)）提取初步模型，或者重新定位現(xiàn)有模型的中心以匹配新的工藝規(guī)格。

　　–轉(zhuǎn)角建模提取?；诠に噮?shù)的統(tǒng)計(jì)變化和典型的提取庫(kù)，該軟件包允許用戶提取用于CMOS工藝的角庫(kù)。然后，可以在所有受支持的模擬器上針對(duì)各種器件，溫度和偏置條件對(duì)最終庫(kù)進(jìn)行驗(yàn)證。

　　BCTM VBIC BJT模型

　　VBIC是Vertical Bipolar Inter-Company（垂直雙極內(nèi)部公司）的縮寫，Vertical Bipolar Inter-Company是由雙極電路和技術(shù)會(huì)議（BCTM）聯(lián)盟開發(fā)的公共領(lǐng)域模型。 它可以模擬準(zhǔn)飽和，雪崩和襯底效應(yīng)。 最新版本包括自熱效應(yīng)。

　　高頻BJT建模套件

　　該軟件包包括對(duì)Gummel-Poon模型的提取，該模型幾十年來一直是BJT設(shè)備的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模型。該軟件包包括GP模型提取的特殊版本，非常適合RF應(yīng)用。此處，CV測(cè)量被S參數(shù)測(cè)量代替，從而使結(jié)電容提取更加方便和準(zhǔn)確。還包括提取理想性，基極電阻和反向早期電壓的改進(jìn)方法。除了標(biāo)準(zhǔn)GP外，該軟件包還提供了Keysight EEBJT2模型的提取，這是一種改進(jìn)的GP模型，可提高AC和DC行為的準(zhǔn)確性。

　　該軟件包還包括MEXTRAM CMC行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)雙極性模型的提取。飛利浦/ NXP研究實(shí)驗(yàn)室，TU Delft和EDA的Keysight EEs聯(lián)合開展的工作已在IC-CAP中實(shí)施了其提取。該模型已在飛利浦/ NXP中廣泛使用，已被證明具有極強(qiáng)的魯棒性和準(zhǔn)確性。

　　ADS HBT建模套件

　　是德科技ADS HBT（AHBT）提取程序包為III-V HBT器件建模提供了全面的測(cè)量和提取程序。 AHBT是一個(gè)完整的HBT模型，專為GaAs，SiGe和InP工藝設(shè)計(jì)，同時(shí)支持單異質(zhì)結(jié)和雙異質(zhì)結(jié)。 一攬子計(jì)劃包括全面的測(cè)量和提取程序

　　MESFET建模

　　高頻MESFET和PHEMT建模套件包括以下模型的摘錄：

　　Angelov-GaN模型

　　由于俘獲和熱效應(yīng)對(duì)器件電氣特性的影響，因此氮化鎵（GaN）器件的建模具有挑戰(zhàn)性。標(biāo)準(zhǔn)GaAs模型對(duì)于這種類型的設(shè)備不夠準(zhǔn)確。由查爾默斯理工大學(xué)的I. Angelov教授開發(fā)的Angelov-GaN模型已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的解決方案。是德科技的W8533 IC-CAP Angelov-GaN提取套件提供了專用的軟件環(huán)境，允許用戶執(zhí)行必要的測(cè)量和Angelov-GaN模型的提取。支持典型的直流和網(wǎng)絡(luò)分析儀，用于進(jìn)行直流和S參數(shù)測(cè)量和去嵌入。便捷的用戶界面使用戶可以執(zhí)行分步提取流程來提取模型參數(shù)。包裝內(nèi)提供的交鑰匙流程可實(shí)現(xiàn)完全定制。使用Keysight ADS執(zhí)行仿真。

　　Curtice，Statz MESFET模型

　　該軟件包包括用于三種流行的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)MESFET模型的提取例程：Curtice二次方，Curtice三次方和Statz（Raytheon）。三種模型之間的差異在于描述設(shè)備的DC和AC特性的經(jīng)驗(yàn)關(guān)系。 IC-CAP從直流和S參數(shù)測(cè)量的組合中提取模型參數(shù)。

　　EEFET3 / EEHEMT1型號(hào)

　　這些是通用GaAs FET或HEMT應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn)非線性模型，包括大信號(hào)，三端子IC和封裝器件。他們可以精確地建模與直流和偏置相關(guān)的S參數(shù)，時(shí)間延遲，亞閾值電流以及Rds的色散。還包括基于Keysight EEsof EDA原始方程式的漏極電流模型以及Cgs和Cgd的高級(jí)模型，包括跨電容效應(yīng)。還考慮了漏極電流中的靜態(tài)自熱效應(yīng)。這些模塊提供了高度自動(dòng)化的參數(shù)提取技術(shù)，并自動(dòng)提取了封裝寄生參數(shù)。 HEMT與MESFET類似，但在Gm與Vgs的行為方面有一個(gè)明顯的區(qū)別。 EEHEMT1是EEFET3的超集，并具有一組用于模擬HEMT的Gm壓縮的分析功能。

　　根MESFET / HEMT模型

　　這些是獨(dú)立于過程和技術(shù)的，基于數(shù)據(jù)的模型，適用于大信號(hào)三終端應(yīng)用。他們對(duì)GaAs FET和HEMT的非線性建模，包括頻率色散。這些模型可擴(kuò)展以適應(yīng)各種幾何形狀，并具有自動(dòng)數(shù)據(jù)采集以及高速模型生成功能。

　　Root MESFET / HEMT模型創(chuàng)建者包含在Root Models生成器軟件許可證中。

　　NeuroFET模型

　　盡管Root模型是當(dāng)今的一項(xiàng)重大發(fā)明，但由于基于表格的設(shè)備電流和電荷表示形式，因此具有一些局限性。使用基于表的模型時(shí)，必須在器件操作的整個(gè)偏置范圍內(nèi)對(duì)所有多元電容和電導(dǎo)進(jìn)行建模之間進(jìn)行非最佳折衷。 NeuroFET模型是Root模型的演變，具有相同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，但表格已被人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（ANN）取代。人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)是一種基于大腦工作方式的計(jì)算范式-它們可以根據(jù)稱為神經(jīng)元的高度互連的非線性處理函數(shù)的網(wǎng)絡(luò)，平滑地逼近任何非線性函數(shù)。先進(jìn)的機(jī)器學(xué)習(xí)（AI）訓(xùn)練算法可識(shí)別節(jié)點(diǎn)之間的權(quán)重，以最佳且平滑地近似模型非線性電流和電荷函數(shù)。這對(duì)于準(zhǔn)確表示失真行為至關(guān)重要，尤其是在需要高階精確導(dǎo)數(shù)的低信號(hào)電平下尤其如此。 NeuroFET模型還在測(cè)量數(shù)據(jù)的邊界之外添加了復(fù)雜的外推方法，從而實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)健的DC和大信號(hào)仿真器的收斂性能。所得模型與技術(shù)無關(guān)，并且適用于硅和III-V材料的HEMT和FET器件。它不適用于無源混頻器或開關(guān)應(yīng)用。

　　DynaFET模型

　　獲得專利的Keysight DynaFET模型代表了器件建模中的另一項(xiàng)重大創(chuàng)新，因?yàn)樗梢詫?duì)動(dòng)態(tài)自發(fā)熱和陷獲效應(yīng)進(jìn)行建模，這歸因于重要的III-V FET動(dòng)態(tài)現(xiàn)象，例如漏極滯后，電流崩潰和柵極滯后。 DynaFET使用新穎的模型識(shí)別程序直接從大信號(hào)波形數(shù)據(jù)中識(shí)別（提?。┫葳鍫顟B(tài)和結(jié)溫，并得出這些動(dòng)態(tài)變量與器件電性能的詳細(xì)耦合。與NeuroFET一樣，DynaFET也使用ANN來描述設(shè)備的電荷和電流，但是該公式已擴(kuò)展為包括設(shè)備溫度和電荷捕獲狀態(tài)，作為神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的附加輸入。復(fù)雜的機(jī)器學(xué)習(xí)算法使用DC，S參數(shù)和在不同環(huán)境溫度下的大信號(hào)波形測(cè)量數(shù)據(jù)來訓(xùn)練網(wǎng)絡(luò)。使用Keysight非線性矢量分析儀（NVNA）在低基頻（100 MHz），不同溫度，直流工作點(diǎn)，功率水平和負(fù)載阻抗下測(cè)量非線性波形數(shù)據(jù)。

　　W8501 IC-CAP核心環(huán)境

　　W8501是IC-CAP框架。它允許您使用C編程語言執(zhí)行數(shù)學(xué)轉(zhuǎn)換，自定義圖，編寫PEL和Python宏，創(chuàng)建提取例程以及編寫用戶定義的函數(shù)。包括一個(gè)廣泛的功能庫(kù)。還包括IC-CAP Studio，它使您能夠開發(fā)自定義圖形用戶界面。

　　W8500 IC-CAP建模平臺(tái)套件

　　Keysight W8500建模套件提供了開始對(duì)設(shè)備和電路進(jìn)行測(cè)量和建模所需的基本工具。建模套件包含以下組件：

　　– W8501核心環(huán)境

　　– W8502仿真與分析

　　– W8520儀器連接

　　通過建模包，您可以設(shè)置自定義提取例程，使用儀器驅(qū)動(dòng)程序測(cè)量數(shù)據(jù)，分析結(jié)果，執(zhí)行仿真以及優(yōu)化提取的參數(shù)。免費(fèi)提供大量建模示例，以此為起點(diǎn)來構(gòu)建和設(shè)計(jì)自己的提取工具包

　　是德科技W8511 IC-CAP晶圓專業(yè)測(cè)量套件

　　W8511提供了使用WaferPro在晶片上運(yùn)行自動(dòng)DC，CV和RF測(cè)量的功能。它包括以下組件：

　　– W8501核心環(huán)境

　　– W8520儀器連接

　　– W8510 IC-CAP Wafer專業(yè)版（WaferPro）

　　IC-CAP WaferPro在IC-CAP平臺(tái)內(nèi)并與之協(xié)同工作，并允許用戶創(chuàng)建和執(zhí)行自動(dòng)測(cè)試計(jì)劃。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參見下面的W8510 WaferPro部分。請(qǐng)注意，該捆綁軟件不包括W8502仿真和分析，必須添加W8502仿真和分析才能在仿真模式下運(yùn)行測(cè)試計(jì)劃。

　　W8502分析模塊

　　分析模塊是IC-CAP仿真器引擎，它可以使用默認(rèn)的仿真器ADS，內(nèi)置的SPICE仿真器或鏈接到其他廣泛的外部仿真器來仿真設(shè)備或電路性能。包括使用ADS仿真線性（DC，CV和AC）和瞬態(tài)仿真的功能?？梢允褂肐C-CAP開放仿真器界面添加到其他（SPICE）仿真器的鏈接。請(qǐng)參考網(wǎng)絡(luò)以獲取所支持的模擬器鏈接及其版本的完整列表。

　　W8510 Wafer Professional（WaferPro）

　　IC-CAP WaferPro是功能強(qiáng)大的測(cè)試計(jì)劃套件，專門用于晶圓上DC / CV和RF測(cè)量。 WaferPro允許用戶通過管理晶圓圖和設(shè)備信息，測(cè)量例程和條件來創(chuàng)建和執(zhí)行自動(dòng)化測(cè)試計(jì)劃。 WaferPro包括幾個(gè)內(nèi)置的測(cè)量例程，但足夠靈活，用戶可以自定義后處理數(shù)據(jù)的測(cè)量和計(jì)算。測(cè)得的掃描數(shù)據(jù)被保存到IC-CAP MDM文件中，而點(diǎn)測(cè)量被方便地保存到.csv文件（逗號(hào)分隔文件）中。對(duì)于大量應(yīng)用程序，WaferPro還可以將數(shù)據(jù)保存到IC-CAP SQL數(shù)據(jù)庫(kù)。 SQL數(shù)據(jù)庫(kù)經(jīng)過專門設(shè)計(jì)，可存儲(chǔ)晶圓上的測(cè)量數(shù)據(jù)，并具有內(nèi)置的靈活性，可以容納各種自定義數(shù)據(jù)。還支持SQLite和MySQL。 WaferPro支持所有IC-CAP儀器，包括是德科技參數(shù)407x和408x參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，以及各種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的全自動(dòng)化和半自動(dòng)化探測(cè)器。請(qǐng)參閱第11頁的表2，以獲取WaferPro支持的探測(cè)器，開關(guān)矩陣和熱卡盤的列表。

　　W8503數(shù)據(jù)選擇和處理

　　IC-CAP數(shù)據(jù)選擇和處理工具（DataPro）是一個(gè)單獨(dú)的工具包，可對(duì)選定的測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，并基于統(tǒng)計(jì)分布和方差來識(shí)別黃金和死角。 DataPro可以直接從WaferPro（基于文件或數(shù)據(jù)庫(kù)）或簡(jiǎn)單的IC-CAP項(xiàng)目格式導(dǎo)入數(shù)據(jù)。統(tǒng)計(jì)分析可以應(yīng)用于掃描類型或點(diǎn)類型的測(cè)量。

　　W8524BP IC-CAP CMC 氮化鎵射頻建模軟件套件的插件為氮化鎵器件建模應(yīng)用中的 2 個(gè)物理模型提供了高效的提取流程。緊湊模型聯(lián)盟（CMC）已于 2017 年批準(zhǔn)這兩種模型成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

　　高電子遷移率晶體管高級(jí) Spice 模型（ASM-HEMT 模型）

　　MIT 虛擬源氮化鎵模型或 MVSG_CMC 模型

　　兩種模型均已針對(duì)高頻（射頻）和高壓（電力電子）應(yīng)用做出了明確定義。作為物理模型，它們可以為氮化鎵工藝開發(fā)人員帶來更廣闊的分析視野。例如，工藝工程師可以了解到增加遷移率或降低接觸電阻對(duì)提高整體功率放大器效率的好處，從而通過優(yōu)化物理器件建模參數(shù)，對(duì)芯片工藝加以改進(jìn)，實(shí)現(xiàn)電路和系統(tǒng)性能的提升。

　　PathWave 器件建模軟件（IC-CAP）2020 中推出的射頻氮化鎵工具套件采用了簡(jiǎn)單易用的用戶界面，為提取 ASM-HEMT 和 MVSG 模型參數(shù)奠定了良好的基礎(chǔ)。現(xiàn)在，用戶可以在單個(gè)平臺(tái)中啟動(dòng)測(cè)量，并將數(shù)據(jù)導(dǎo)入 IC-CAP 平臺(tái)提取模型參數(shù)，然后將生成的模型卡導(dǎo)出到先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)（ADS）或任何其他可以運(yùn)行這些模型的仿真器中。該工具套件還提供了兩個(gè)示例流程：一個(gè)用于 MVSG，另一個(gè)用于 ASM-HEMT。

　　找到正確的參數(shù)組合使模型數(shù)據(jù)與測(cè)量數(shù)據(jù)相匹配仍然有相當(dāng)?shù)奶魬?zhàn)性，但更具挑戰(zhàn)性的是推導(dǎo)出提取方法或一連串的參數(shù)調(diào)整步驟。為新模型開發(fā)新提取流程可能需要半年甚至更長(zhǎng)時(shí)間。建模工程師需要探究并隔離每個(gè)參數(shù)的影響，從而確定實(shí)現(xiàn)擬合的最佳數(shù)據(jù)。工程師通常會(huì)意識(shí)到，模型參數(shù)提取流程早期的一點(diǎn)小錯(cuò)誤也有可能導(dǎo)致整個(gè)流程最終出現(xiàn)擬合準(zhǔn)確性問題而前功盡棄。借助 IC-CAP 提供的射頻氮化鎵工具套件，建模工程師將可以靈活選擇提取方法，并使用這些模型快速開始工作。

　　如下面的圖 1 所示，功能強(qiáng)大的用戶界面使建模工程師可以專注于提取流程，而無需操心參數(shù)記錄、數(shù)據(jù)繪圖等操作。

　　圖 1. DC-CV-Spar-建模最終擬合。

　　建模工程師可以選擇參數(shù)組，以便重點(diǎn)關(guān)注選定的主題。他們還可以通過列表進(jìn)一步細(xì)化參數(shù)選擇。同樣，他們也可以選擇繪圖來展示每個(gè)參數(shù)的效果。在頂部區(qū)域，工程師可以選擇優(yōu)化或調(diào)諧所選的參數(shù)。

　　產(chǎn)品套件

　　W8524BP IC-CAP CMC 氮化鎵射頻建模軟件套件的插件需要與以下產(chǎn)品配合使用：

　　W8501EP IC-CAP 核心環(huán)境

　　W8502EP IC-CAP 仿真和分析軟件

　　W8525BP IC-CAP CMC 氮化鎵建模軟件套件包括以下產(chǎn)品：

　　W8524BP IC-CAP CMC 氮化鎵射頻建模軟件套件的插件

　　W8500BP IC-CAP 器件建模平臺(tái)軟件套件

　　W8501EP IC-CAP 核心環(huán)境是 IC-CAP 軟件框架，提供數(shù)據(jù)管理、可視化顯示和編程功能（使用 PEL），并包括 MultiPlot 和 GUI studio、數(shù)學(xué)變換和宏命令以及與 SQL 數(shù)據(jù)庫(kù)的鏈接。

　　PEL – 編程提取語言，用于創(chuàng)建和自動(dòng)運(yùn)行測(cè)量與提取流程

　　IC-CAP MultiPlot Studio 可以通過單一窗口提供“n”個(gè)繪圖、顏色規(guī)范、符號(hào)和繪圖注釋。使用每個(gè)繪圖側(cè)邊的按鍵，您可以方便地調(diào)用縮放、優(yōu)化/調(diào)諧、定標(biāo)、誤差計(jì)算以及更改 X/Y 軸等功能。IC-CAP MultiPlot Studio 概述

　　IC-CAP GUI Studio 能夠創(chuàng)建用于自動(dòng)執(zhí)行定制測(cè)量和提取流程的用戶界面。這些圖形用戶界面也可以與其他同事或客戶共享，極大方便他們執(zhí)行測(cè)量和提取

　　SQL 數(shù)據(jù)庫(kù)鏈接提供與 MySQL 和 SQLite 數(shù)據(jù)庫(kù)的鏈接，使用戶可以查詢或?qū)?WaferPro 的測(cè)量數(shù)據(jù)導(dǎo)入 IC-CAP 進(jìn)行建模

　　另外還包括一個(gè)程序庫(kù)，方便用戶訪問常用的數(shù)學(xué)函數(shù)、晶圓探針臺(tái)驅(qū)動(dòng)程序和開關(guān)矩陣驅(qū)動(dòng)程序。

　　W8502EP IC-CAP W8502EP IC-CAP 仿真與分析軟件可以使用自帶的先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)（ADS）或 SPICE3 仿真器或直接連接到支持的外部仿真器來分析或仿真器件特性，并能將仿真結(jié)果與測(cè)量或目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比。

　　分析模塊還包括 13 個(gè)強(qiáng)大的優(yōu)化算法和繪圖優(yōu)化器。繪圖優(yōu)化器支持用戶從任意 IC-CAP 繪圖直接設(shè)置快速優(yōu)化。

　　仿真與分析模塊提供 ADS 線性、瞬態(tài)、諧波平衡和 Verilog-A 功能。

　　IC-CAP 優(yōu)化算法：

　　算法/描述

　　Levenberg-Marquardt：使用最小平方誤差函數(shù)的非線性搜索方法。

　　隨機(jī)：使用隨機(jī)梯度誤差函數(shù)的隨機(jī)搜索方法。

　　混合（隨機(jī)/LM）：隨機(jī)與 Levenberg-Marquardt 算法及誤差函數(shù)的組合。

　　靈敏度分析：設(shè)計(jì)變量的單點(diǎn)或極小靈敏度分析。打印每個(gè)參數(shù)的局部衍生。

　　隨機(jī)（Gucker）：使用最小平方誤差函數(shù)的隨機(jī)搜索方法。

　　梯度：使用最小平方誤差函數(shù)的梯度搜索方法。

　　隨機(jī)最小最大：使用最小最大誤差函數(shù)的隨機(jī)搜索方法。

　　梯度最小最大：使用最小最大誤差函數(shù)的梯度搜索方法。

　　擬牛頓：使用最小平方誤差函數(shù)的擬牛頓搜索方法。

　　最小 Pth：使用最小 Pth 誤差函數(shù)的擬牛頓搜索方法。

　　最小最大：使用最小最大誤差函數(shù)的雙段高斯-牛頓/擬牛頓方法。

　　混合（隨機(jī)/擬牛頓）：隨機(jī)和擬牛頓搜索方法的組合。

　　遺傳：使用演進(jìn)參數(shù)組的直接搜索方法。

更新日志

　　Keysight IC-CAP 2020.2更新日志

　　1、B1500 / B1505數(shù)據(jù)輸出格式的新默認(rèn)值從4位更改為8位。

　　2、修復(fù)了DC_OP類型Mode'O ' 的Python get_child_objects輸出。

　　3、修復(fù)了get_val（）的tablevar Python API函數(shù)。

　　4、修復(fù)了帶有溫度的LINUX上S參數(shù)LSYNC仿真崩潰的問題。

　　5、解決了使用插槽1單元作為非主設(shè)備進(jìn)行B1500 SYNC測(cè)量的問題。

　　6、修復(fù)了IF帶寬問題，以將1 MHz至15 MHz作為PNA儀器的可能值。

　　7、固定的負(fù)電容會(huì)在Spectre 2端口仿真中使用特定的電容網(wǎng)絡(luò)。

　　8、修復(fù)了反斜杠無法在ADS-HBT工具包和Angelov-GaN工具包中指定校準(zhǔn)集文件的路徑的問題。

　　9、修復(fù)了在將非常長(zhǎng)的方程式讀取到IC-CAP MODEL和/或DUT電路頁面中的電路文件時(shí)崩潰的問題。

　　10、修復(fù)了通過PEL編程修改IC-CAP變量表中的變量值字段可能發(fā)生的內(nèi)存泄漏。

　　11、修復(fù)了在HB 2音模擬中并非所有數(shù)據(jù)點(diǎn)都完全讀入Output的問題。

　　12、修復(fù)了4155/4156上的采樣測(cè)量不適用于VSU和HPSMU的問題。

　　13、修復(fù)了無法從PEL設(shè)置為String-type的輸入值的問題。

　　14、修復(fù)了將自定義GUI滑塊小部件的當(dāng)前調(diào)諧器值設(shè)置在最大或最小調(diào)整范圍之外時(shí)崩潰的問題。