silvaco tcad 2016是一款功能非常強大的TCAD和EDA工具；軟件的功能是非常的全面，而且也具有相當(dāng)?shù)膬?yōu)勢，并且包括了六大領(lǐng)域，比如：2D/3DTCAD、設(shè)計自定義、電源完整性、3D RC提取、SPICE模型提取、SPICE仿真等；而且還擁有非常豐富的例子庫，也是新手這進(jìn)行學(xué)習(xí)CAD時候的最佳選擇，并且軟件的許多功能也進(jìn)行了快速的加強，使您這進(jìn)行使用的時候，會更加的輕松，自由，需要的朋友趕快將silvaco tcad軟件下載來使用試試吧！

基本介紹

　　Tcad工具最重要的用途之一是探索新的器件技術(shù)，其中進(jìn)行許多探索性仿真，以便使器件設(shè)計人員更好地了解給定技術(shù)的可能的優(yōu)點和缺點。這種用例需要連續(xù)的模擬，并進(jìn)行一些分析。為了有用，許多模擬循環(huán)必須在分配給勘探的時間內(nèi)運行，將模擬運行時間最小化放在最高優(yōu)先級上。目前，全流量標(biāo)準(zhǔn)CMOS模擬通常通過1D和2D模擬的組合來完成。從TCAD仿真所需的大部分信息可以從簡化的角度提取，即可以對設(shè)備進(jìn)行深度均勻處理（即二維模擬）。然而，對于像FinFET這樣的3D本質(zhì)的器件，或者為了研究植入期間的陰影效應(yīng)或功率器件的擊穿電壓上的溝槽形狀，必須進(jìn)行3D模擬。

軟件功能

　　蝕刻和沉積

　　具有用于快速結(jié)構(gòu)原型的幾何模型

　　用物理模型進(jìn)行詳細(xì)的工藝步驟分析

　　植入

　　具有非?？斓姆治瞿Ｐ?/p>

　　具有非常精確的蒙特卡羅模型

　　退火

　　配合全面的摻雜擴(kuò)散模型

　　具有氧化模型的層次結(jié)構(gòu)

　　應(yīng)力模擬

　　有壓力工程的壓力史

　　通用2D / 3D設(shè)備模擬器

　　四面體網(wǎng)格，用于精確的3D幾何表示

　　用于保形Delaunay網(wǎng)格的Voronoi離散化

　　先進(jìn)的物理模型，具有用戶自定義的硅和復(fù)合材料的材料數(shù)據(jù)庫

　　應(yīng)力依賴移動性和帶隙模型

　　使用C-Interpreter或動態(tài)鏈接庫的高度可定制的物理模型

　　DC，AC和瞬態(tài)分析

　　漂移擴(kuò)散和能量平衡傳輸方程

　　自發(fā)熱效應(yīng)的自相關(guān)模擬，包括發(fā)熱，熱流，晶格加熱，散熱器和溫度依賴性材料參數(shù)

　　高級多線程數(shù)值求解器庫，支持分布式計算

　　量子校正和隧道模型

　　光線跟蹤和FDTD光學(xué)方法

　　輻射效應(yīng)包括單次事件不適（SEU），總劑量和劑量率

　　MixedMode電路/器件仿真

　　64位，80位，128位，160位，256位和320位精度

　　Atlas兼容

　　Silvaco的安全加密功能可以最大限度地提高客戶和第三方的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)

軟件特色

　　快速的3D結(jié)構(gòu)原型設(shè)計能力可以對特定的處理問題進(jìn)行深入的物理分析

　　全面的擴(kuò)散模型集：費米，fullcpl，單對和五流

　　應(yīng)力分析的物理氧化模擬

　　極其準(zhǔn)確和快速的蒙特卡羅植入模擬

　　Monte Carlo植入，擴(kuò)散，氧化和物理蝕刻和沉積的時間關(guān)鍵操作的

　　高效多線程用于物理沉積和蝕刻的復(fù)雜多粒子通量模型與襯底材料再沉積

　　開放式架構(gòu)允許輕松引入和修改客戶特定的物理模型

　　無縫鏈接到3D設(shè)備模擬器，包括結(jié)構(gòu)鏡像，自適應(yīng)摻雜改進(jìn)和電極規(guī)格

　　易于學(xué)習(xí)，強大的調(diào)試模式和用戶友好的SUPREM樣語法

　　雅典娜兼容性

　　方便的校準(zhǔn)平臺和快速過程測試（無需運行3D進(jìn)行校準(zhǔn)） 2D模式

　　從1D，2D和3D模式進(jìn)行自動切換

安裝說明

　　1、下載文件找到"Setup.exe"雙擊運行，進(jìn)入軟件安裝向?qū)Ы缑妫?/p>

　　2、進(jìn)入軟件安裝向?qū)Ы缑?，點擊Next；

　　3、點擊我同意此條款中的使用協(xié)議，點擊Next

　　4、選擇文件安裝位置，建議安裝在D盤，點擊Next

　　5、安裝進(jìn)行中，請耐心的等待..........

　　6、安裝完成，點擊Finish；

使用說明

　　功率

　　勝利裝置的功能允許諸如功率MOS，LDMOS，SOI，晶閘管和IGBT等功率器件的電氣和熱性能。Victory Device采用先進(jìn)的3D Delaunay網(wǎng)格，相應(yīng)的離散化和擴(kuò)展的精密數(shù)值，可以對諸如SiC和GaN等寬帶隙材料進(jìn)行穩(wěn)定和精確的模擬。這些器件也可以嵌入電路并由內(nèi)置的SPICE電路仿真器進(jìn)行仿真。

　　3D電場分布。場地最大處于溝渠的拐角處。

　　高級CMOS

　　熱載體，應(yīng)力和量子校正和隧道模型允許對先進(jìn)的CMOS器件（如FinFET和FDSOI）進(jìn)行仿真。

　　該3D FinFET用3D完全非結(jié)構(gòu)化的四面體網(wǎng)格進(jìn)行模擬。網(wǎng)格完全自動化，包括對摻雜和界面的改進(jìn)。

　　3D FinFET結(jié)構(gòu)

　　復(fù)合半導(dǎo)體

　　支持各種復(fù)合材料，如SiGe，GaAs，AlGaAs，InP，SiC，GaN，AlGaN和InGaN，可以表征復(fù)合化合物半導(dǎo)體器件。

　　顯示

　　勝利器件支持先進(jìn)的缺陷模型，可以對薄膜器件進(jìn)行表征。

　　3D TFT A-Si：H IdVg模擬

　　光電子

　　使用Victory Device可以模擬太陽能電池和CMOS圖像傳感器等器件的光電響應(yīng)。光線跟蹤和FDTD光學(xué)方法均可用。

　　顯示在黑暗和照明條件下CMOS圖像傳感器的瞬態(tài)響應(yīng)的3D過程和設(shè)備模擬如下所示。

　　黑暗和照明傳感器輸出電壓的比較。

　　輻射

　　勝利裝置包含先進(jìn)的輻射模型。可以在穩(wěn)態(tài)，交流和瞬態(tài)模擬單事件鐓鍛（SEU），單事件倦?。⊿EB），總劑量和劑量率等影響。

　　InVar Power 幫助設(shè)計人員了解和分析由于電源和熱2D / 3D配置文件之間的相互依賴而導(dǎo)致的各種設(shè)計效果，以及動態(tài)功耗如何實時影響設(shè)備行為

　　InVar EM / IR 提供綜合分析，并保持從頂級連接器到每個晶體管的供電網(wǎng)絡(luò)的全面了解。分層塊建模的獨特方法可減少運行時間和內(nèi)存，并保持真正平坦運行的準(zhǔn)確性?？删幊蘀M規(guī)則可輕松適應(yīng)新技術(shù)

　　InVar從單電池設(shè)計到全芯片的熱定 標(biāo)，并提供實驗室驗證的熱分析精度。從熱引擎到電源和EM / IR引擎的反饋提供了前所未有的整體準(zhǔn)確性